IAUC100N04S6N015ATMA1 vs IAUC60N06S5L073ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC100N04S6N015ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC60N06S5L073ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUC100N04S6N015ATMA1 | IAUC60N06S5L073ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-6 40V | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | Trench (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D @ T_C=25C) | 100 A | — |
| Power Dissipation (P_D @ T_C=25C) | 100 W | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 1.5 mΩ (typical, per Infineon product page) | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C (junction, typical) | -55C to +175C |
| Paket | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (unlimited floor life) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 60 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.3 mΩ |
| Total Gate Charge (QG) | — | 17.4 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 52 W |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Qualification | — | AEC-Q101 automotive grade |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Thermal Resistance RθJA | — | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] |