IAUC100N04S6N015ATMA1 vs IAUC60N06S5L073ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUC100N04S6N015ATMA1 מאת Infineon ו IAUC60N06S5L073ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IAUC100N04S6N015ATMA1 | IAUC60N06S5L073ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-6 40V | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | Trench (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D @ T_C=25C) | 100 A | — |
| Power Dissipation (P_D @ T_C=25C) | 100 W | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 1.5 mΩ (typical, per Infineon product page) | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +175 C (junction, typical) | -55C to +175C |
| מארז | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | 1 (unlimited floor life) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 60 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.3 mΩ |
| Total Gate Charge (QG) | — | 17.4 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 52 W |
| מספר פינים | — | 8 |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Qualification | — | AEC-Q101 automotive grade |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Thermal Resistance RθJA | — | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] |