IAUC100N10S5N040ATMA1 vs BSC117N08NS5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC100N10S5N040ATMA1 tarafından Infineon ve BSC117N08NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC100N10S5N040ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS-5 OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 100 A (package-limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 4 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg value]
Maximum Power Dissipation (PD) 167 W @ TC=25C —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 0.9 K/W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) -55 C to +150 C (typical MOSFET junction)
Paket PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 (up to 260C peak reflow) 1
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
Avalanche Rating 100% Avalanche tested —
AOI Compatibility Feasible for Automatic Optical Inspection —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC117N08NS5ATMA1
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) max — 49 A (Tc)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 11.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 50 W
Pin Sayısı — 8
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin