IAUC120N04S6L012ATMA1 vs IAUC100N04S6L020ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC120N04S6L012ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC100N04S6L020ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC120N04S6L012ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 6 40V —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 120 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 480 A —
On-State Resistance (RDS(on)) at 10V VGS 1.2 mΩ (typ) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at 20V VGS] —
Power Dissipation (PD) at TC 115 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (junction) -55 °C to +175 °C (TJ)
Paket PG-TDSON-8 (TDSON-8, surface mount with exposed pad) PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Delivery Form Tape & Reel —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS — 40 V
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Power Dissipation (Tc) — 75 W
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A — 2.04 mΩ
RDS(on) Typical — 2.0 mΩ
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical — 2.0 V
Technology — OptiMOS 6
Qualification — Automotive grade
Packaging — Tape & Reel (TMA1)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin