IAUC120N04S6N010ATMA1 vs IAUC120N06S5N022ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC120N04S6N010ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC120N06S5N022ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N06S5N022ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (Id, Tc) 150 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 150 W —
RDS(on) at VGS=10V (typ) 1.0 mΩ —
RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) 1.03 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) 3 V (at 90 µA) —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS-5 trench
Paket PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless) PG-TDSON-8-34 (TDSON EP 5x6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family) [DATA_NEEDED: TJ min/max]
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Gate Drive Recommendation 10 V VGS for full RDS(on) spec —
Polarity Single N-channel —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) — 170 A (Tj)
On-Resistance RDS(on) max — 2.2 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (PD) — 136 W (Tc)
Channel Type — N-Channel
Pin Sayısı — 8 (with exposed pad)
Klorürsüz — Yes (per Infineon product family convention)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @4.5V]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin