IAUC120N04S6N010ATMA1 vs IAUC41N06S5N102ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC120N04S6N010ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC41N06S5N102ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ AktifInfineon
IAUC41N06S5N102ATMA1 - 60V 47A 10.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon
IAUC41N06S5N102ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUC120N04S6N010ATMA1 | IAUC41N06S5N102ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc) | 150 A | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | 150 W | — |
| RDS(on) at VGS=10V (typ) | 1.0 mΩ | — |
| RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) | 1.03 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) | 3 V (at 90 µA) | — |
| Technology | OptiMOS 6 | — |
| Paket | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless) | PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family) | -55C to +175C (junction) |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Gate Drive Recommendation | 10 V VGS for full RDS(on) spec | — |
| Polarity | Single N-channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 47 A (Tj) |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 42 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.4 V (typical) |
| Total Gate Charge (QG) | — | 12.5 nC |
| Channel Polarity | — | N-Channel (single) |