IAUC120N06S5L011ATMA1 vs IAUC100N04S6L025ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC120N06S5L011ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC100N04S6L025ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC120N06S5L011ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 60 V (S5 generation) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS rating] —
Continuous Drain Current (I_D) 310 A (Tj), 120 A marketing —
R_DS(on) max [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V] —
Power Dissipation (P_D) 188 W at T_C = 25 °C —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
Paket PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm) PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Energy Rated Yes (EAS) —
Technology — OptiMOS 6 40V trench MOSFET
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.5 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 62 W
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin