IAUC60N04S6L030HATMA1 vs IAUC120N06S5N022ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC60N04S6L030HATMA1 tarafından Infineon ve IAUC120N06S5N022ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC120N06S5N022ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Series OptiMOS 6 —
Configuration Half-Bridge (2 N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TJ 60 A —
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V 3.0 mOhm (typical) —
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V 35 nC —
Output Capacitance (Coss) 2.128 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 596 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC 75 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Paket PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) PG-TDSON-8-34 (TDSON EP 5x6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per part number suffix) AEC-Q101
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) — 170 A (Tj)
On-Resistance RDS(on) max — 2.2 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (PD) — 136 W (Tc)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: TJ min/max]
Technology — OptiMOS-5 trench
Channel Type — N-Channel
Pin Sayısı — 8 (with exposed pad)
Klorürsüz — Yes (per Infineon product family convention)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @4.5V]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin