IAUC60N06S5L073ATMA1 vs IAUC50N08S5L096ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC60N06S5L073ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC50N08S5L096ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUC60N06S5L073ATMA1 | IAUC50N08S5L096ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 60 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 7.3 mΩ | — |
| Total Gate Charge (QG) | 17.4 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 52 W | — |
| Paket | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | -55°C to +175°C |
| Technology | Trench (OptiMOS 5) | — |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Qualification | AEC-Q101 automotive grade | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Thermal Resistance RθJA | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] | — |
| Product Series | — | OptiMOS 5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 50 A (Tc) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 200 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Power Dissipation (PD) | — | 60 W (Tc) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free | — | Yes |