IAUCN04S6N013TATMA1 vs IAUCN04S7N015GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S6N013TATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N015GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN04S6N013TATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 230 A at T<sub>C</sub> —
R<sub>DS(on)</sub> (max) 1.32 mΩ at V<sub>GS</sub> = 10 V —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 133 W at T<sub>C</sub> —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) 2.6 V (typ) —
Total Gate Charge (Q<sub>g</sub>) 52 nC at V<sub>GS</sub> = 10 V —
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) 1.08 nF —
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) 3.7 nF —
Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) 51 pF —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Paket PG-LHDSO-10-1 (SSO10T) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (IMS-compatible source-down)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 165 A (Tc)
Power Dissipation (P_D) — 96 W (Tc)
R_DS(on) max — 1.53 mΩ at V_GS=10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin