IAUCN04S7L009ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7L009ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC60N04S6L030HATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUCN04S7L009ATMA1 - 40V 275A 0.91mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon
IAUCN04S7L009ATMA1 ✓ AktifInfineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUCN04S7L009ATMA1 | IAUC60N04S6L030HATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUCN04S7L009ATMA1 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 7 (trench-gate) | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) | 275 A (Tj) | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) | 175 A | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) | 129 W | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | 0.91 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Paket | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 (per part number suffix) |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Part Series | — | OptiMOS 6 |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | — | 60 A |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.0 mOhm (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 35 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2.128 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 596 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | — | 75 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C |