IAUCN04S7L014ATMA1 vs IAUCN04S7N015GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7L014ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N015GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUCN04S7L014ATMA1 | IAUCN04S7N015GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 40V Automotive | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 1.43 mΩ | — |
| Gate Eşik Voltage | [DATA_NEEDED: Gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Total gate charge Qg] | — |
| Power Dissipation (Pd) | [DATA_NEEDED: Power dissipation Pd] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C (typical automotive MOSFET range) | — |
| Paket | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 8-pin) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount (IMS-compatible source-down) |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Configuration | Single N-Channel MOSFET | — |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 165 A (Tc) |
| Power Dissipation (P_D) | — | 96 W (Tc) |
| R_DS(on) max | — | 1.53 mΩ at V_GS=10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55C to +175C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |