IAUCN04S7L014ATMA1 vs IAUCN04S7N015GATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN04S7L014ATMA1 מאת Infineon ו IAUCN04S7N015GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IAUCN04S7L014ATMA1 | IAUCN04S7N015GATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 40V Automotive | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 1.43 mΩ | — |
| מתח סף שער | [DATA_NEEDED: Gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Total gate charge Qg] | — |
| Power Dissipation (Pd) | [DATA_NEEDED: Power dissipation Pd] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55°C to +175°C (typical automotive MOSFET range) | — |
| מארז | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 8-pin) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount (IMS-compatible source-down) |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Configuration | Single N-Channel MOSFET | — |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 165 A (Tc) |
| Power Dissipation (P_D) | — | 96 W (Tc) |
| R_DS(on) max | — | 1.53 mΩ at V_GS=10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +175C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |