IAUCN04S7N006ATMA1 vs IAUCN08S7N034ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7N006ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7N034ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN04S7N006ATMA1 IAUCN08S7N034ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 175 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Technology OptiMOS 5 (trench) —
Paket PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8-34 (TDSON EP)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C —
Junction Temperature Max 175 C —
Power Dissipation Max (Pd) [DATA_NEEDED: Pd max] —
Gate Charge Total (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Lead-Free / RoHS Yes (compliant) —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL 1 (unlimited floor life)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS™ 7
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V — 3.4 mΩ
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) — 3.2 V (typ)
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) — 45.8 nC @ V<sub>GS</sub>=10 V
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) — 1.27 nF
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) — 3.115 nF
Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) — 23 pF
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 118 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55°C to +175°C
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin