IAUCN04S7N006ATMA1 vs IAUCN08S7N034ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN04S7N006ATMA1 מאת Infineon ו IAUCN08S7N034ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IAUCN04S7N006ATMA1 IAUCN08S7N034ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 175 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Technology OptiMOS 5 (trench) —
מארז PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8-34 (TDSON EP)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +175 C —
Junction Temperature Max 175 C —
Power Dissipation Max (Pd) [DATA_NEEDED: Pd max] —
Gate Charge Total (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Lead-Free / RoHS Yes (compliant) —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL 1 (unlimited floor life)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS™ 7
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V — 3.4 mΩ
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) — 3.2 V (typ)
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) — 45.8 nC @ V<sub>GS</sub>=10 V
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) — 1.27 nF
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) — 3.115 nF
Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) — 23 pF
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 118 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55°C to +175°C
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר