IAUCN04S7N024HATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7N024HATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N037GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN04S7N024HATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS-7 40 V OptiMOS 7
Configuration Dual N-Channel (independent) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 100 A —
On-Resistance R_DS(on) typ 2.46 mΩ at V_GS = 10 V —
On-Resistance R_DS(on) max [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at 10 V V_GS] —
Maximum Power Dissipation (Tc) 75 W —
Paket PG-TDSON-8-56 (SSO8 HB 5x6 mm) SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Technology OptiMOS-7 trench-gate Trench MOSFET, N-Channel
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: typical V_GS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total Qg] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Packing Tape & Reel —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin