IAUCN08S7L033ATMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN08S7L033ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N027GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN04S7N027GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series Automotive OptiMOS 7 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 3.3 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 130 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 118 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (TJ) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive Grade (per Infineon datasheet header) Automotive
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) [DATA_NEEDED: MSL]
Product Family — OptiMOS 7
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds max) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) — 117 A
On-Resistance (Rds(on) max) — 2.67 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 70 W (Tc)
Paket / Kas — PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Gate-Source Voltage Max (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy FR-4

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin