IAUCN10S7N074ATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN10S7N074ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7L050HATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUCN10S7N074ATMA1 - 100V 7.4mΩ N-Channel OptiMOS 7 MOSFET | Infineon
IAUCN10S7N074ATMA1 ✓ AktifInfineon
IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUCN10S7N074ATMA1 | IAUCN04S7L050HATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS™ 7 (Shielded-Gate Trench) | Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | 78 A (Tj) | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 96 W (Tc) | — |
| R<sub>DS(on)</sub> (typ at V<sub>GS</sub>=10 V) | 7.4 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) | ±20 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 8 (with exposed pad) | — |
| MSL Seviyesi | MSL2 (1 year) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 (family-level, automotive grade) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Application | 48 V Automotive Systems | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS™ 7 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C | — | 65 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.04 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | — | 40 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |