IAUZ18N10S5L420ATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUZ18N10S5L420ATMA1 tarafından Infineon ve BSC019N08NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUZ18N10S5L420ATMA1 BSC019N08NS5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 100V —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mΩ 1.9 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V to 2.7 V —
Total Gate Charge (Qg) typ. 8.5 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 5 (N-channel trench)
Configuration Single with built-in diode —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 1
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 237 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 214 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C
Avalanche Rated — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin