IAUZ40N08S5N100ATMA1 vs IAUC64N08S5L075ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUZ40N08S5N100ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC64N08S5L075ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 ✓ AktifInfineon
IAUC64N08S5L075ATMA1 - 80V 7.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC64N08S5L075ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUZ40N08S5N100ATMA1 | IAUC64N08S5L075ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Technology | OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | OptiMOS™ 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 68 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg typ | 24.2 nC @ VGS=10 V | — |
| Input Capacitance Ciss | 1591 pF @ VDS=40 V | — |
| Gate-Source Voltage VGS max | ±20 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| Paket | PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IAUC64N08S5L075ATMA1 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 64 A (TJ-limited) |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 7.5 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute maximum] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 75 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Pin Sayısı | — | 8 |