IAUZN10S7L289ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUZN10S7L289ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7L033ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUZN10S7L289ATMA1 | IAUCN08S7L033ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-7 | — |
| Technology | Trench MOSFET (N-Channel) | OptiMOS 7 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 27 A | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25°C) | 45 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on), max, VGS=10V) | 28.9 mΩ | — |
| Paket | PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Grade | AEC-Q100 qualified (Automotive MOSFET) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C (Tj) | -55°C to +175°C (TJ) |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| RoHS Compliance | Yes | — |
| Series | — | Automotive OptiMOS 7 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.3 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 130 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 118 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) |
| Qualification | — | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) |