IGLR70R200D2SXUMA1 vs IPL60R180P6AUMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IGLR70R200D2SXUMA1 tarafından Infineon ve IPL60R180P6AUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IGLR70R200D2SXUMA1 | IPL60R180P6AUMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolGaN G5 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) | CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 9.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 34 W | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 200 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 1.26 nC | — |
| Output Capacitance (Coss) | 91 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 0.21 pF | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 1.2 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -40 °C to +150 °C | — |
| Paket | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) | PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount |
| RoHS | Compliant | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | -20 V to +20 V (max) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 22.4 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V | — | 180 mΩ |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C | — | 176 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +150 °C |
| Storage Temperature Range | — | -55 °C to +150 °C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | — | [DATA_NEEDED: RθJC value] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V) |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |