IGLR70R200D2SXUMA1 vs IPL60R180P6AUMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IGLR70R200D2SXUMA1 bằng Infineon và IPL60R180P6AUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IGLR70R200D2SXUMA1 | IPL60R180P6AUMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolGaN G5 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) | CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 9.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 34 W | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 200 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 1.26 nC | — |
| Output Capacitance (Coss) | 91 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 0.21 pF | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 1.2 V | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -40 °C to +150 °C | — |
| Hộp | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) | PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount |
| RoHS | Compliant | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | -20 V to +20 V (max) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 22.4 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V | — | 180 mΩ |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C | — | 176 W |
| Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 °C to +150 °C |
| Storage Temperature Range | — | -55 °C to +150 °C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | — | [DATA_NEEDED: RθJC value] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V) |
| Kiểu lắp đặt | — | Surface Mount |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |