IGLR70R270D2SXUMA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IGLR70R270D2SXUMA1 tarafından Infineon ve IGLR70R200D2SXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 - 700V GaN Transistor, 270mΩ CoolGaN G5 | Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IGLR70R270D2SXUMA1 | IGLR70R200D2SXUMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN™ G5 | CoolGaN G5 |
| Technology | Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 7.3 A | 9.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 28 W | 34 W |
| On-State Resistance (RDS(on), typ.) | 270 mΩ | — |
| Paket | PG-TSON-8-8 (ThinPAK) | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) |
| Montaj Türü | Surface Mount | — |
| Gate Drive | 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) | — |
| Wafer Process | 200 mm (8-inch) GaN-on-Si | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -40C to +150C (junction) | -40 °C to +150 °C |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 0 nC (no body diode) | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 200 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 1.26 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 91 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 0.21 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | — | 1.2 V |
| RoHS | — | Compliant |