IGLR70R270D2SXUMA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IGLR70R270D2SXUMA1 מאת Infineon ו IGLR70R200D2SXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 - 700V GaN Transistor, 270mΩ CoolGaN G5 | Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IGLR70R270D2SXUMA1 | IGLR70R200D2SXUMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN™ G5 | CoolGaN G5 |
| Technology | Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 7.3 A | 9.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 28 W | 34 W |
| On-State Resistance (RDS(on), typ.) | 270 mΩ | — |
| מארז | PG-TSON-8-8 (ThinPAK) | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| Gate Drive | 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) | — |
| Wafer Process | 200 mm (8-inch) GaN-on-Si | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40C to +150C (junction) | -40 °C to +150 °C |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 0 nC (no body diode) | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 200 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 1.26 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 91 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 0.21 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | — | 1.2 V |
| RoHS | — | Compliant |