IPB027N10N3GATMA1 vs IPD068N10N3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB027N10N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPD068N10N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB027N10N3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 3 (Trench MOSFET) OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 2.7 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (TJ) —
Paket PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: exact °C/W value] —
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] 1
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD068N10N3GATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V (typical)
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single
Packing — Tape & Reel (T/R)
Qualification — Industrial (non-automotive)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin