IPB35N10S3L26ATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB35N10S3L26ATMA1 tarafından Infineon ve BSC016N06NSTATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB35N10S3L26ATMA1 BSC016N06NSTATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T —
Channel Type N-Channel —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 35 A —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
Package Type PG-TO263-3 (D2PAK-2) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
Channel Mode Enhancement —
RDS(on) (typical per Infineon product page) 26.3 mΩ —
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80 nC —
Maximum Drain-Source Resistance Rds 1.7 mΩ (per RS Components listing) —
Minimum Operating Temperature -55 C —
Maximum Power Dissipation Pd 81 W (per RS Components listing) —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
AEC-Q101 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status] —
Part Number — BSC016N06NSTATMA1
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 5
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 167 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Paket — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL level]
Lead-Free — Yes
Series — OptiMOS

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin