IPD031N06L3GATMA1 vs IAUC120N06S5L032ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD031N06L3GATMA1 tarafından Infineon ve IAUC120N06S5L032ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD031N06L3GATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 Trench
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C 167 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V —
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C -55 C to +175 C (T_j)
Paket PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-34 (5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 3 —
MSL Seviyesi 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 (60 V)
Transistor Türü — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D, T_j) — 120 A
R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) — 3.2 mOhm
Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) — 94 W
AEC-Q101 Qualified — Yes
Gate Threshold Voltage V_GS(th) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge Q_G — [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin