IPD30N08S2L21ATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD30N08S2L21ATMA1 tarafından Infineon ve BSZ130N03LSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD30N08S2L21ATMA1 BSZ130N03LSGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V 26 milliohm (typ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (L series) —
Gate Charge (Qg) typ 56 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 136 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C -55 C to +150 C (junction)
Maximum Junction Temperature +175C —
Paket PG-TO252-3-11 (DPAK-2) PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Drain tab + Gate + Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Part Family — OptiMOS 25V / 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Ta=25 C) — 10 A
Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) — 35 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 13 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA — 2.2 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 25 W
Lead-Free — Yes
Klorürsüz — Yes
Qualification — Industrial / Commercial (non-automotive)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin