IPD30N10S3L34ATMA1 vs IPD35N10S3L26ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD30N10S3L34ATMA1 tarafından Infineon ve IPD35N10S3L26ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD30N10S3L34ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T2 —
Transistor Türü N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A 180 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 57 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 31 mΩ @ VGS=10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) —
Total Gate Charge (Qg typ) 23 nC —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +175°C -55°C to +175°C
Paket PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) PG-TO252-3-11 (DPAK-2)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
MSL Seviyesi 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) MSL1 (up to 260°C peak reflow)
RoHS / REACH Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated 100% Avalanche tested —
Part Number — IPD35N10S3L26ATMA1
Technology — OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 35 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V — 26 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 71 W
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, Green product (halogen-free)
Typical Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin