IPD30N10S3L34ATMA2 vs IPD082N10N3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD30N10S3L34ATMA2 tarafından Infineon ve IPD082N10N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPD30N10S3L34ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD30N10S3L34ATMA2 IPD082N10N3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 30 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 180 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 57 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 31 mOhm (typ) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) max 2.4 V —
Total Gate Charge (Qg) max 31 nC —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C -55°C to +175°C
Package / Supplier Device Package PG-TO252-3-11 (DPAK) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin / Tab Count 3 (2 + Tab) —
Technology OptiMOS-T (trench) OptiMOS 3 (Trench N-Channel)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Part Number — IPD082N10N3GATMA1
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — 80 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 8.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 125 W
Paket / Kas — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)
Automotive Qualified (AEC-Q101) — Not applicable (industrial/consumer grade)
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin