IPD30N10S3L34ATMA2 vs IPD30N08S2L21ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD30N10S3L34ATMA2 tarafından Infineon ve IPD30N08S2L21ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPD30N10S3L34ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD30N10S3L34ATMA2 IPD30N08S2L21ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 30 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 180 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 57 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 31 mOhm (typ) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) max 2.4 V —
Total Gate Charge (Qg) max 31 nC —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Package / Supplier Device Package PG-TO252-3-11 (DPAK) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin / Tab Count 3 (2 + Tab) —
Technology OptiMOS-T (trench) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] 1
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V — 26 milliohm (typ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level (L series)
Gate Charge (Qg) typ — 56 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 136 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C
Maximum Junction Temperature — +175C
Paket — PG-TO252-3-11 (DPAK-2)
Pin Sayısı — 3 (Drain tab + Gate + Source)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin