IPD30N10S3L34ATMA2 vs IPD35N10S3L26ATMA2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD30N10S3L34ATMA2 tarafından Infineon ve IPD35N10S3L26ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD30N10S3L34ATMA2 | IPD35N10S3L26ATMA2 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 180 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 57 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 31 mOhm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) max | 2.4 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) max | 31 nC | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +175 C | — |
| Package / Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 (DPAK) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin / Tab Count | 3 (2 + Tab) | — |
| Technology | OptiMOS-T (trench) | Trench MOSFET (OptiMOS-T) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS-T |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 35 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | — | 24 mOhm |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | — | 71 W |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | — | [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Paket | — | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Pin Sayısı | — | 3 (Drain, Source, Gate + tab) |
| Lead-Free | — | Yes |