IPD30N10S3L34ATMA2 vs IPD35N10S3L26ATMA2 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD30N10S3L34ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPD35N10S3L26ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD30N10S3L34ATMA2 | IPD35N10S3L26ATMA2 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 180 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 57 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 31 mOhm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) max | 2.4 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) max | 31 nC | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +175 C | — |
| Package / Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 (DPAK) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin / Tab Count | 3 (2 + Tab) | — |
| Technology | OptiMOS-T (trench) | Trench MOSFET (OptiMOS-T) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS-T |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 35 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | — | 24 mOhm |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | — | 71 W |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | — | [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| پیکیج | — | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| پن کی تعداد | — | 3 (Drain, Source, Gate + tab) |
| Lead-Free | — | Yes |