IPD30N10S3L34ATMA2 vs IPD90P04P4L04ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD30N10S3L34ATMA2 tarafından Infineon ve IPD90P04P4L04ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPD30N10S3L34ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD30N10S3L34ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 30 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 180 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 57 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 31 mOhm (typ) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) max 2.4 V —
Total Gate Charge (Qg) max 31 nC —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Package / Supplier Device Package PG-TO252-3-11 (DPAK) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin / Tab Count 3 (2 + Tab) —
Technology OptiMOS-T (trench) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Part Number — IPD90P04P4L04ATMA2
Manufacturer — Infineon Technologies
Family — OptiMOS-P2
Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -40 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — -90 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 125 W
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Maximum Junction Temperature — 175 C
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C
Paket — PG-TO252-3-313 (DPAK)
Pin Sayısı — 3 (2 + Tab)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin