IPD30N10S3L34ATMA2 vs IPD90P04P4L04ATMA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD30N10S3L34ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPD90P04P4L04ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD30N10S3L34ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 ✓ فعال
Infineon
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD30N10S3L34ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 30 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 180 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 57 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 31 mOhm (typ) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) max 2.4 V —
Total Gate Charge (Qg) max 31 nC —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C —
Package / Supplier Device Package PG-TO252-3-11 (DPAK) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Pin / Tab Count 3 (2 + Tab) —
Technology OptiMOS-T (trench) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Part Number — IPD90P04P4L04ATMA2
Manufacturer — Infineon Technologies
Family — OptiMOS-P2
Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -40 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — -90 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 125 W
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Maximum Junction Temperature — 175 C
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C
پیکیج — PG-TO252-3-313 (DPAK)
پنز کی تعداد — 3 (2 + Tab)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں