IPD60R210PFD7SAUMA1 vs IPB60R165CPATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R210PFD7SAUMA1 tarafından Infineon ve IPB60R165CPATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD60R210PFD7SAUMA1 IPB60R165CPATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS PFD7 —
Technology Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET CoolMOS CP (superjunction, N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 16 A —
On-Resistance (RDS(on), max) 210 mOhm —
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) 64 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V 3.5 V
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Package Type TO-252 (DPAK) —
Manufacturer Package Designator PG-TO252-3-344 —
Montaj Türü Surface Mount (SMT) Surface Mount
Pin Configuration 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (TJ) —
Lead-Free / RoHS Yes (compliant) —
Application Segment Consumer-grade SMPS —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 21 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 192 W
On-Resistance RDS(on), max (VGS=10V) — 165 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Operating Temperature Range (TJ) — -55°C to +150°C
Paket — PG-TO263-3-2 (D2PAK-2)
RoHS Durumu — Compliant (Pb-free lead plating)
JEDEC Qualification — Qualified per JEDEC for target applications
dv/dt Ruggedness — Extreme dv/dt rated
Polarity / Channel — N-Channel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin