IPD60R210PFD7SAUMA1 vs IPB60R165CPATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD60R210PFD7SAUMA1 بذریعہ Infineon اور IPB60R165CPATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 - 600V CoolMOS PFD7 210mOhm MOSFET | Infineon

IPD60R210PFD7SAUMA1 - 600V CoolMOS PFD7 210mOhm MOSFET | Infineon

IPD60R210PFD7SAUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD60R210PFD7SAUMA1 IPB60R165CPATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS PFD7 —
Technology Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET CoolMOS CP (superjunction, N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 16 A —
On-Resistance (RDS(on), max) 210 mOhm —
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) 64 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V 3.5 V
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Package Type TO-252 (DPAK) —
Manufacturer Package Designator PG-TO252-3-344 —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (SMT) Surface Mount
Pin Configuration 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (TJ) —
Lead-Free / RoHS Yes (compliant) —
Application Segment Consumer-grade SMPS —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 21 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 192 W
On-Resistance RDS(on), max (VGS=10V) — 165 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Operating Temperature Range (TJ) — -55°C to +150°C
پیکیج — PG-TO263-3-2 (D2PAK-2)
RoHS اسٹیٹس — Compliant (Pb-free lead plating)
JEDEC Qualification — Qualified per JEDEC for target applications
dv/dt Ruggedness — Extreme dv/dt rated
Polarity / Channel — N-Channel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں