IPD60R280P7SAUMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R280P7SAUMA1 tarafından Infineon ve IPD30N10S3L34ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD60R280P7SAUMA1 IPD30N10S3L34ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 12 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 180 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 280 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max @ ID = 190 µA —
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) 53 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -40 °C to +150 °C —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel —
Paket PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow)
Series CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) —
RoHS Durumu Compliant —
Integrated ESD Protection Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Transistor Türü — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 30 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 57 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 31 mΩ @ VGS=10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V)
Total Gate Charge (Qg typ) — 23 nC
İşletim Jant Sıcaklığı — -55°C to +175°C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS / REACH — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin