IPD60R280P7SAUMA1 vs IPD60R210PFD7SAUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R280P7SAUMA1 tarafından Infineon ve IPD60R210PFD7SAUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 12 A 16 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 280 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max @ ID = 190 µA —
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) 53 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -40 °C to +150 °C —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET
Paket PG-TO252-3 (DPAK) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (SMT)
MSL Seviyesi 1 —
Series CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) —
RoHS Durumu Compliant —
Integrated ESD Protection Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS PFD7
On-Resistance (RDS(on), max) — 210 mOhm
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) — 64 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Package Type — TO-252 (DPAK)
Manufacturer Package Designator — PG-TO252-3-344
Pin Configuration — 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (TJ)
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)
Application Segment — Consumer-grade SMPS

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin