IPD60R600C6ATMA1 vs IPD80R600P7ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R600C6ATMA1 tarafından Infineon ve IPD80R600P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD60R600C6ATMA1 | IPD80R600P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS C6 | — |
| Part Suffix | ATMA1 (Tape & Reel) | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | CoolMOS C6 (Superjunction) | CoolMOS P7 super-junction |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 800 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 7.3 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | 22 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 600 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TC=25°C | 63 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | 3 V (typical) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +150 °C | -55 C to +150 C |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 8 A |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 600 mΩ at VGS=10V |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 60 W (Tc) |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±30 V |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | — | 20 mJ |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | — | 0.17 mJ |
| Polarity | — | N-Channel |