IPD60R600C6ATMA1 vs IPD80R600P7ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD60R600C6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD80R600P7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD60R600C6ATMA1 | IPD80R600P7ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS C6 | — |
| Part Suffix | ATMA1 (Tape & Reel) | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | CoolMOS C6 (Superjunction) | CoolMOS P7 super-junction |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 800 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 7.3 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | 22 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 600 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TC=25°C | 63 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | 3 V (typical) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +150 °C | -55 C to +150 C |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پنز کی تعداد | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| MSL لیول | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 8 A |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 600 mΩ at VGS=10V |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 60 W (Tc) |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±30 V |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | — | 20 mJ |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | — | 0.17 mJ |
| Polarity | — | N-Channel |