IPD70N10S312ATMA2 vs IPD30N10S3L34ATMA2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD70N10S312ATMA2 tarafından Infineon ve IPD30N10S3L34ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPD70N10S312ATMA2 - 100V 70A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
IPD70N10S312ATMA2 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD70N10S312ATMA2 | IPD30N10S3L34ATMA2 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD70N10S312ATMA2 | — |
| Technology | OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) | OptiMOS-T (trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 70 A | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | 125 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | — |
| Paket | PG-TO252-3-11 (DPAK) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (unlimited floor life) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 180 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 57 W |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 31 mOhm (typ) |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) max | — | 2.4 V |
| Total Gate Charge (Qg) max | — | 31 nC |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C |
| Package / Supplier Device Package | — | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Pin / Tab Count | — | 3 (2 + Tab) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |