IPD80R750P7ATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD80R750P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPD50N06S409ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD80R750P7ATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| Part Number | IPD80R750P7ATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | CoolMOS (Super-Junction) | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 7 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 750 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typical) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 51 W | — |
| Paket / Kas | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Protection | Integrated Zener (ESD protected) | — |
| Packaging | Tape & Reel (ATMA1) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |
| Paket | — | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Pin Sayısı | — | 3 (2 + Tab) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |