IPG20N06S4L14AATMA1 vs IPD33CN10NGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG20N06S4L14AATMA1 tarafından Infineon ve IPD33CN10NGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPG20N06S4L14AATMA1 IPD33CN10NGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPG20N06S4L14AATMA1 —
FET Type 2 N-Channel (Dual) N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) —
Power Dissipation (PD) 50 W —
RDS(on) at VGS=10V 13.7 mΩ typical —
RDS(on) at VGS=4.5V 14 mΩ typical —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Logic-Level Gate Drive Yes —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (junction) -55C to +175C (TJ)
Paket PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Peak Reflow Temperature 260°C —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
Technology OptiMOS™ Trench OptiMOS (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 27 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 58 W
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes
MSL Seviyesi — 1

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin