IPG20N06S4L14AATMA1 vs IPD33CN10NGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPG20N06S4L14AATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD33CN10NGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPG20N06S4L14AATMA1 IPD33CN10NGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPG20N06S4L14AATMA1 —
FET Type 2 N-Channel (Dual) N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) —
Power Dissipation (PD) 50 W —
RDS(on) at VGS=10V 13.7 mΩ typical —
RDS(on) at VGS=4.5V 14 mΩ typical —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Logic-Level Gate Drive Yes —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C (junction) -55C to +175C (TJ)
پیکیج PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Peak Reflow Temperature 260°C —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
Technology OptiMOS™ Trench OptiMOS (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 27 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 58 W
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes
MSL لیول — 1

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں