IPG20N10S4L22AATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG20N10S4L22AATMA1 tarafından Infineon ve BSC019N08NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPG20N10S4L22AATMA1 | BSC019N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | Dual N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | 20 A | — |
| On-State Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) | 22 mΩ (typical) | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 60 W | — |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) | ±20 V | — |
| Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Paket | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Lead Configuration | Wettable Flank | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Technology | OptiMOS T2 | OptiMOS 5 (N-channel trench) |
| İşletim Sıcaklığı | -55°C to +175°C | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Channel Count | 2 (dual independent) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 237 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 214 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 C to +150 C |
| MSL Seviyesi | — | 1 |
| Avalanche Rated | — | Yes |