IPL60R115CFD7AUMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPL60R115CFD7AUMA1 tarafından Infineon ve IPD65R380E6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPL60R115CFD7AUMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPL60R115CFD7AUMA1 | — |
| Series | CoolMOS CFD7 | CoolMOS™ E6 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 22 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 115 mOhm (typ, VGS=10V) | — |
| Paket / Kas | PG-VSON-4 (5x6 mm) with exposed pad | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Superjunction MOSFET (CoolMOS CFD7) | Superjunction (CoolMOS™) |
| Integrated Body Diode | Yes - fast body diode (CFD) | — |
| Application | Resonant high-power topologies (LLC, PFC) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55 °C to +150 °C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| RoHS Durumu | Compliant (per distributor listings) | Compliant |
| Pin Sayısı | 4 | — |
| Quantity per Reel | [DATA_NEEDED: reel qty] | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |
| Paket | — | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| MSL Seviyesi | — | 1 |