IPT007N06NATMA1 vs IPD031N06L3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPT007N06NATMA1 tarafından Infineon ve IPD031N06L3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPT007N06NATMA1 IPD031N06L3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 400 A
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) 0.75 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 375 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C (TJ) -55°C to +175°C
Paket PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TO252-3 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-channel —
Gate Charge (QG) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
Thermal Resistance (RthJC max) [DATA_NEEDED: RthJC] —
MSL Seviyesi MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (Unlimited)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Klorürsüz Yes —
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 100 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 167 W
RDS(on) Max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.2 V
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) — 4.5 V, 10 V
Total Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Series — OptiMOS 3

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin