IPT007N06NATMA1 vs IPD031N06L3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPT007N06NATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD031N06L3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPD031N06L3GATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPT007N06NATMA1 | IPD031N06L3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 300 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 400 A |
| On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) | 0.75 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | 375 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C (TJ) | -55°C to +175°C |
| پیکیج | PG-HSOF-8-1 (TOLL) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-channel | — |
| Gate Charge (QG) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] | — |
| Thermal Resistance (RthJC max) | [DATA_NEEDED: RthJC] | — |
| MSL لیول | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (Unlimited) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| Standard Pack Quantity | 3000 (Tape & Reel) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 100 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 167 W |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 3.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.2 V |
| Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) | — | 4.5 V, 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Series | — | OptiMOS 3 |